去年底 Micron 完成了 GDDR6 內部認證，現在已經正式發布了 GDDR6 記憶體，將於上半年開始投產，不過 Micron 的 GDDR6 並不像 Samsung 獨立設計，而是聯合了另外幾家晶片設計公司共同研發。Micron的 GDDR6 記憶體由 Micron 自己生產，PHY（物理層）則是 Rambus 設計的，記憶體主控由 Northwest Logic 提供，驗證IP由 Avery Design 完成。
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在 Micron 官網中我們可以看到現在推出的 GDDR6 均只有8Gb版本，速率分10Gb/s（1.25V）、12Gb/s（1.25V）、12Gb/s（1.35V）、13Gb/s（1.35 V）和14Gb/s（1.35V），和 SK Hynix 有點類似，依然在容量和速度上不如三星。...
Micron 也完成了 GDDR6 記憶體設計
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在 Micron 官網中我們可以看到現在推出的 GDDR6 均只有8Gb版本，速率分10Gb/s（1.25V）、12Gb/s（1.25V）、12Gb/s（1.35V）、13Gb/s（1.35 V）和14Gb/s（1.35V），和 SK Hynix 有點類似，依然在容量和速度上不如三星。...
Micron 也完成了 GDDR6 記憶體設計