Samsung 量產第五代 V-NAND 90層堆棧, QLC 也在路上

2018年各大 NAND 廠都已經大規模量產了64層堆棧的 3D NAND，以 TLC 為主，下一代快閃記憶體的堆棧層數要繼續提升50%達到96層。三星今天宣布量產第五代 V-NAND 快閃記憶體，業界首發 Toggle DDR 4.0 接口，速率達到了1.4Gbps，堆棧層數超過90層。此外，三星還準備推出1Tb核心容量以及 QLC 結構的 V-NAND 快閃記憶體。



三星的 V-NAND 是 3D NAND 中的一種，目前主力生產的是第四代 V-NAND，堆棧層數64層，現在量產的是第五代 V-NAND 快閃記憶體，核心容量256Gb並不算高，但是各項指標很強大，它首發支持 Toggle DDR 4.0 接口，傳輸速度達到了1.4Gbps，相比64層堆棧的 V-NAND 快閃記憶體提升了40%。

第五代...

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