Samsung FinFET 製程被判侵犯專利, 需賠4億美金

Samsung 與韓國科學技術院（KAIST）在 FinFET 製程上的爭論由來已久，KAIST 在訴訟中表示當時還在 KAIST 工作的教授Lee Jong-ho在2001年向 Samsung 展示過 FinFET 技術，Samsung 起初對 FinFET 製程並不上心，但是後來看到 Intel 的 FinFET 量產之後也加快了製程開發，Samsung 使用了Lee Jong-ho教授的 FinFET 為基礎改進 FinFET 製程，最終在2011年推出了跟Lee Jong-ho教授研發的 FinFET 製程相近的 FinFET 技術。



KAIST 就這樣跟 Samsung 結下了梁子，2016年KAIST在美國德州的知識產權局起訴了Samsung，宣稱 Samsung 的 FinFET 製程侵犯了他們的專利權。Samsung 回應稱他們是跟 KAIST 合作開發的 FinFET 製程，並質疑後者的 FinFET...

Samsung FinFET 製程被判侵犯專利, 需賠4億美金